[发明专利]高可靠性双向电压抑制器件

摘要

本发明公开一种高可靠性双向电压抑制器件，其P型单晶硅片两侧面四周分别具有第一沟槽、第二沟槽，此第一沟槽位于第一重掺杂N型区四周并延伸至重掺杂P型区的上部，此第二沟槽位于第二重掺杂N型区四周并延伸至重掺杂P型区的下部；重掺杂P型区与第一重掺杂N型区接触的区域且位于边缘的四周区域具有第一轻掺杂N型区，此第一轻掺杂N型区的上表面与第一重掺杂N型区的接触，此第一轻掺杂N型区的外侧面与第一沟槽接触；所述重掺杂P型区与第二重掺杂N型区接触的区域且位于边缘的四周区域具有第二轻掺杂N型区。本发明在低压隧道击穿模式下，降低漏电流中来自表面的漏电流，大大降低整个器件的反向漏电流，从而进一步降低了功耗，避免了器件的局部温升。

主权项

一种高可靠性双向电压抑制器件，包括具有第一重掺杂N型区（2）、重掺杂P型区（1）和第二重掺杂N型区（9）的P型单晶硅片（3），此第一重掺杂N型区（2）、第二重掺杂N型区（9）分别位于重掺杂P型区（1）两侧，P型单晶硅片（3）两侧面四周分别具有第一沟槽（4）、第二沟槽（10），此第一沟槽（4）位于第一重掺杂N型区（2）四周并延伸至重掺杂P型区（1）的上部，此第二沟槽（10）位于第二重掺杂N型区（9）四周并延伸至重掺杂P型区（1）的下部；所述第一沟槽（4）的表面覆盖有第一绝缘钝化保护层（5），此第一绝缘钝化保护层（5）由第一沟槽（4）底部延伸至第一重掺杂N型区（2）表面的边缘区域，所述第二沟槽（10）的表面覆盖有第二绝缘钝化保护层（11），此第二绝缘钝化保护层（11）由第二沟槽（10）底部延伸至第二重掺杂N型区（9）表面的边缘区域；第一重掺杂N型区（2）的表面覆盖作为电极的第一金属层（6），第二重掺杂N型区（9）的表面覆盖作为电极的第二金属层（7）；其特征在于：所述重掺杂P型区（1）与第一重掺杂N型区（2）接触的区域且位于边缘的四周区域具有第一轻掺杂N型区（8），此第一轻掺杂N型区（8）的上表面与第一重掺杂N型区（2）的接触，此第一轻掺杂N型区（8）的外侧面与第一沟槽（4）接触；所述重掺杂P型区（1）与第二重掺杂N型区（9）接触的区域且位于边缘的四周区域具有第二轻掺杂N型区（12），此第二轻掺杂N型区（12）的下表面与第二重掺杂N型区（9）的接触，此第二轻掺杂N型区（12）的外侧面与第二沟槽（10）接触；所述第一轻掺杂N型区（8）与重掺杂P型区（1）的接触面为弧形面，所述第二轻掺杂N型区（12）与重掺杂P型区（1）的接触面为弧形面。