[发明专利]高端微型薄膜电容器及制备方法有效
申请号: | 201610790115.4 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106252076B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 刁克明 | 申请(专利权)人: | 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01G4/005;H01G13/00 |
代理公司: | 北京格允知识产权代理有限公司11609 | 代理人: | 周娇娇,谭辉 |
地址: | 100071 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种高端微型薄膜电容器及制备方法,其中制备方法包括以下步骤提供衬底;通过离子束溅射沉积工艺在衬底上沉积绝缘打底膜;在所述绝缘打底膜上制作图形化的光刻胶,以所述图形化的光刻胶为掩模,通过离子束溅射沉积工艺在所述绝缘打底膜上沉积金属薄膜;去除图形化的光刻胶,通过离子束溅射沉积工艺在所述金属薄膜上沉积保护膜,得到高端微型薄膜电容器。本发明采用离子束溅射沉积工艺制作高端微型薄膜电容器,加工精度高,尤其可加工出金属手指宽度和指间间距宽度为11比值的叉指电容器,克服了现有叉指电容器加工中出现的手指之间剥离残留形成的短路,并且提高了叉指电容器的容量。 | ||
搜索关键词: | 高端 微型 薄膜 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高端微型薄膜电容器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、提供衬底;S2、通过离子束溅射沉积工艺在衬底上沉积绝缘打底膜;S3、在所述绝缘打底膜上制作图形化的光刻胶,以所述图形化的光刻胶为掩模,通过离子束溅射沉积工艺在所述绝缘打底膜上沉积金属薄膜;S4、去除图形化的光刻胶,通过离子束溅射沉积工艺在所述金属薄膜上沉积保护膜,得到高端微型薄膜电容器;其中,所述步骤S3中在所述绝缘打底膜上沉积金属薄膜包括第一部分金属薄膜和第二部分金属薄膜;所述第一部分金属薄膜包括第一电极、从所述第一电极引出的第一汇流条、沿横向从所述第一汇流条朝第二汇流条延伸的多个第一臂,以及第一臂上沿纵向朝一侧或者两侧伸出的多个第一金属手指;所述第二部分金属薄膜包括第二电极、从所述第二电极引出的第二汇流条、沿横向从所述第二汇流条朝第一汇流条延伸的多个第二臂,以及第二臂上沿纵向朝一侧或者两侧伸出并与所述第一金属手指横向间隔开的多个第二金属手指。
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