[发明专利]提高良率提升缺陷监测效率的方法有效
申请号: | 201610790782.2 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106206356B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 张丹丹;陈旭;邵雄 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种提高良率提升缺陷监测效率的方法,包括:通过SIMS系统对缺陷检测控制进行设定,并且获取SIMS系统的相关设定参数;通过SIMS系统对缺陷检测控制进行设定,并且获取SIMS系统的相关设定参数;创建第一数据表来存放符合SIMS系统内设定的工艺步骤和良率提升步骤的对应关系、被检测过的工艺批次数据、以及对应的扫描数据;创建第二数据表来存放所有工艺批次的数据信息,同时判断处理信息;编写新脚本来处理所有涉及的相关数据表,并且向第一数据表和第二数据表中导入数据;利用SIMS系统获取查询信息;通过SIMS系统,查看良率提升机台的跑货情况以及扫描情况,监察SIMS系统内的各项设定的实施效果,判断设定的合理性。 | ||
搜索关键词: | 提高 提升 缺陷 监测 效率 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提高良率提升缺陷监测效率的方法,其特征在于包括:第一步骤:通过SIMS系统对缺陷检测控制进行设定,并且获取SIMS系统的相关设定参数;第二步骤:分析MES系统中的对应批次信息表以及SIMS系统的对应数据表,并整合数据;第三步骤:创建第一数据表来存放符合SIMS系统内设定的工艺步骤和良率提升步骤的对应关系、被检测过的工艺批次数据、以及对应的扫描数据;第四步骤:创建第二数据表来存放所有工艺批次的数据信息,同时判断处理信息,所述工艺批次的数据信息包括:批次名、工艺步骤顺序和工作区,所述处理信息包括是否被扫描、关键批次是否是由SIMS抓取的、以及是否被人为跳站;第五步骤:编写新脚本来处理所有涉及的MES系统中的对应批次信息表以及SIMS系统的对应数据表,并且向第一数据表和第二数据表中导入数据;第六步骤:利用SIMS系统获取查询信息,获取查询信息包括:按工作区域和/或机台实时查询各区域和/或机台的实时缺陷检测信息、选择时段内的过货信息以及缺陷检测信息;第七步骤:通过SIMS系统,查看良率提升机台的跑货情况以及扫描情况,监察SIMS系统内的各项设定的实施效果,判断设定的合理性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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