[发明专利]用于处理基板的设备和方法有效
| 申请号： | 201610792133.6 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107611056B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李暎熏;林义相;赵珉晙;李载明 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 韩国忠淸*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开的是一种用于处理基板的方法，其中，超临界流体被供应到装载有基板的腔室中，以处理基板，所述方法包括：供应步骤，将所述超临界流体供应到腔室内直到所述腔室的内部的压力达到预设压力；和所述供应步骤之后的基板处理步骤，在重复将超临界流体供应到腔室内部中以及将超临界流体排出腔室内部之外的过程中执行超临界工艺，其中，在所述供应步骤中供应到腔室的超临界流体的流速是可变的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于处理基板的方法，其特征在于，超临界流体被供应到装载有基板的腔室中，以处理所述基板，所述方法包括：供应步骤，将所述超临界流体供应到所述腔室内直到所述腔室的内部的压力达到预设压力；和所述供应步骤之后的基板处理步骤，在重复将所述超临界流体供应到所述腔室的内部中以及将所述超临界流体排出到所述腔室的内部之外的过程中执行超临界工艺，其中，在所述供应步骤中供应到所述腔室的超临界流体的流速是可变的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
