[发明专利]推挽软开关控制电路在审
申请号: | 201610792421.1 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106329909A | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 朱海东 | 申请(专利权)人: | 苏州迈力电器有限公司 |
主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44;H02M7/538 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人: | 黄冠华 |
地址: | 215151 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种推挽软开关控制电路,包括推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元、LC谐振单元和辅助电源单元,推挽升压功率单元包括第十MOS管至第十四MOS管和推挽变压器,第十MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极均与推挽变压器的初级线圈的一端连接,第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极均与功率MOS管驱动单元的一个输出端连接,第十二MOS管的漏极和第十四MOS管的漏极均与推挽变压器的初级线圈的另一端连接,LC谐振单元包括漏感和聚丙烯电容。本发明能减小功率变压器的体积、能减小开关管开通损耗、降低逆变器的损耗、提高整机效率、能解决因硬件开关锁引起的EMI问题。 | ||
搜索关键词: | 推挽软 开关 控制电路 | ||
【主权项】:
一种推挽软开关控制电路,其特征在于,包括推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元、LC谐振单元和辅助电源单元,所述推挽升压功率单元包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十四MOS管和推挽变压器,所述第十MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极均与所述推挽变压器的初级线圈的一端连接,所述第十MOS管的源极和第十一MOS管的源极均接地,所述第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极均与所述功率MOS管驱动单元的一个输出端连接,所述第十二MOS管的漏极和第十四MOS管的漏极均与所述推挽变压器的初级线圈的另一端连接,所述第十二MOS管的源极和第十四MOS管的源极均接地,所述第十二MOS管的栅极和第十四MOS管的栅极均与所述功率MOS管驱动单元的另一输出端连接,所述推挽控制单元产生控制信号并将其发送到所述功率MOS管驱动单元,所述功率MOS管驱动单元根据所述控制信号产生PWM驱动信号,所述PWM驱动信号通过周期性地控制所述第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第十四MOS管的导通与关断,产生高频交流电,所述推挽变压器对所述高频交流电进行升压后通过所述LC谐振单元产生直流高压电,所述LC谐振单元包括漏感和聚丙烯电容,所述漏感的一端与所述推挽变压器的次级线圈的一端连接,所述漏感的另一端与所述聚丙烯电容的一端连接,所述辅助电源单元分别与所述推挽控制单元和功率MOS管驱动单元连接、用于供电。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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