[发明专利]推挽软开关控制电路在审

专利信息
申请号: 201610792421.1 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN106329909A 公开(公告)日: 2017-01-11
发明(设计)人: 朱海东 申请(专利权)人: 苏州迈力电器有限公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44;H02M7/538
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 代理人: 黄冠华
地址: 215151 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种推挽软开关控制电路,包括推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元、LC谐振单元和辅助电源单元,推挽升压功率单元包括第十MOS管至第十四MOS管和推挽变压器,第十MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极均与推挽变压器的初级线圈的一端连接,第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极均与功率MOS管驱动单元的一个输出端连接,第十二MOS管的漏极和第十四MOS管的漏极均与推挽变压器的初级线圈的另一端连接,LC谐振单元包括漏感和聚丙烯电容。本发明能减小功率变压器的体积、能减小开关管开通损耗、降低逆变器的损耗、提高整机效率、能解决因硬件开关锁引起的EMI问题。
搜索关键词: 推挽软 开关 控制电路
【主权项】:
一种推挽软开关控制电路,其特征在于,包括推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元、LC谐振单元和辅助电源单元,所述推挽升压功率单元包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十四MOS管和推挽变压器,所述第十MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极均与所述推挽变压器的初级线圈的一端连接,所述第十MOS管的源极和第十一MOS管的源极均接地,所述第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极均与所述功率MOS管驱动单元的一个输出端连接,所述第十二MOS管的漏极和第十四MOS管的漏极均与所述推挽变压器的初级线圈的另一端连接,所述第十二MOS管的源极和第十四MOS管的源极均接地,所述第十二MOS管的栅极和第十四MOS管的栅极均与所述功率MOS管驱动单元的另一输出端连接,所述推挽控制单元产生控制信号并将其发送到所述功率MOS管驱动单元,所述功率MOS管驱动单元根据所述控制信号产生PWM驱动信号,所述PWM驱动信号通过周期性地控制所述第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第十四MOS管的导通与关断,产生高频交流电,所述推挽变压器对所述高频交流电进行升压后通过所述LC谐振单元产生直流高压电,所述LC谐振单元包括漏感和聚丙烯电容,所述漏感的一端与所述推挽变压器的次级线圈的一端连接,所述漏感的另一端与所述聚丙烯电容的一端连接,所述辅助电源单元分别与所述推挽控制单元和功率MOS管驱动单元连接、用于供电。
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