[发明专利]一种具有宽谱广角特性的错位膜层减反结构

摘要

本发明公开了一种具有宽谱广角特性的错位膜层减反结构，所述结构包括半导体基底、第一错位膜层和第二错位膜层，所述半导体基底为具有纳米柱结构的半导体基底，所述第一错位膜层为覆盖在半导体基底上方的膜层，所述第二错位膜层为覆盖在第一错位膜层上方的膜层。所述错位膜层指的是由于半导体基底纳米柱结构顶部与基底表面具有高度差而形成错位的、具有相同材料、相同厚度、垂直覆盖在其它同种材料上方的膜层。该结构在广角度及宽光谱入射下具有很好的减反射效果，且结构简单，易于加工。

主权项

一种具有宽谱广角特性的错位膜层减反结构，其特征在于：由半导体基底（1）和覆盖其上的错位膜层组成，所述半导体基底（1）上表面具有凸出的纳米柱结构，所述纳米柱结构的顶部高于所述半导体基底（1）表面，形成错位高度差；所述错位膜层沿所述半导体基底（1）表面和所述纳米柱结构顶部铺设覆盖；所述错位膜层依次由第一错位膜层（2）和第二错位膜层（3）组成，所述第一错位膜层（2）覆盖在所述半导体基底（1）上方，所述第二错位膜层（3）覆盖在第一错位膜层（2）上方；所述错位膜层的同一层的厚度均匀、材料相同；所述错位膜层相邻之间各层的材料不同，位于上层的所述错位膜层的折射率小于位于下层的所述错位膜层的折射率。