[发明专利]共源共栅放大电路及功率放大器有效
| 申请号： | 201610793670.2 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106330109B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;夏庆贞;常虎东;孙兵;王盛凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/21 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种共源共栅放大电路及功率放大器。所述共源共栅放大电路包括晶体管M1和晶体管M2，M1和M2均为GaAs‑MOSHEMT，所述M1的源极接地，所述M1的栅极作为所述共源共栅放大电路的信号输入端Vin，所述M1的栅极通过扼流电感L1连接负电压源VSS1，所述M1的漏极通过扼流电感L4连接正电压源VDD1，所述M1的漏极通过隔直电容C2连接所述M2的源极，所述M2的源极通过扼流电感L5接地，所述M2的栅极通过扼流电感L2连接负电压源VSS1，所述M2的栅极通过栅极电容C1接地，所述M2的漏极作为放大电路的信号输出端Vout，所述M2的漏极通过扼流电感L3连接正电压源VDD2。本发明的技术方案无需引入额外的升压模块，从而在保证较好的功率放大性能的前提下，降低了设计的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 共源共栅 放大 电路 功率放大器 | ||
【主权项】：
1.一种共源共栅放大电路，其特征在于，所述共源共栅放大电路包括第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)，所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)均为GaAs‑MOSHEMT，其中，所述第一晶体管(M1)的源极接地，所述第一晶体管(M1)的栅极作为所述共源共栅放大电路的信号输入端(Vin)，同时所述第一晶体管(M1)的栅极通过第一扼流电感(L1)连接第一负电压源(VSS1)，所述第一晶体管(M1)的漏极通过第四扼流电感(L4)连接第一正电压源(VDD1)，同时所述第一晶体管(M1)的漏极通过第二隔直电容(C2)连接所述第二晶体管(M2)的源极，所述第二晶体管(M2)的源极通过第五扼流电感(L5)接地，所述第二晶体管(M2)的栅极通过第二扼流电感(L2)连接第二负电压源(VSS2)，同时所述第二晶体管(M2)的栅极通过第一栅极电容(C1)接地，所述第二晶体管(M2)的漏极作为放大电路的信号输出端(Vout)，同时所述第二晶体管(M2)的漏极通过第三扼流电感(L3)连接第二正电压源(VDD2)。
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