[发明专利]图案形成方法及光阻组成物

摘要

本发明提供一种形成图案以确保优良的曝光宽容度(EL)以及聚焦宽容度(聚焦深度DOF)的方法。所述图案形成方法包含(A)由光阻组成物形成膜；(B)使所述膜曝光；以及(C)使用含有有机溶剂的显影剂使经曝光的膜显影，藉此形成负像图案。所述光阻组成物含有(a)在受酸作用时使其分解且其由下式(1)表示的ΔSP为2.5(兆帕)^1/2或2.5(兆帕)^1/2以上的树脂，(b)当曝露于光化射线或辐射时分解产生酸的化合物，以及(c)溶剂。ΔSP＝SP_F‑SP_I(1)。

主权项

一种图案形成方法，其包括：(A)使用光阻组成物形成膜；(B)将所述膜曝光；以及(C)使用含有有机溶剂的显影剂使所述经曝光的膜显影，藉此形成负像图案；所述光阻组成物包括：(a)在受酸作用时分解的树脂，含有仅由以下通式(AI)表示的重复单元作为具有酸分解性基团的重复单元，以所述树脂中的所有重复单元计，由通式(AI)表示的所述重复单元的含量在50摩尔％至80摩尔％的范围，且所述树脂由下式(1)表示的ΔSP为2.5(兆帕)^1/2以上；(b)当曝露于光化射线或辐射时产生酸的化合物，所述化合物为以下通式(ZI)或(ZII)表示的化合物；(c)溶剂；以及(e)疏水性树脂，且以所述光阻组成物的总固体含量计，所述树脂(a)的含量比率在30质量％至99质量％，ΔSP＝SP_F‑SP_I  (1)在所述式(1)中，SP_I表示所述树脂的分解前溶解度参数，SP_F表示所述树脂的分解后溶解度参数，在通式(ZI)中，R₂₀₁、R₂₀₂以及R₂₀₃各自独立地表示有机基团，Z^‑表示磺酸根阴离子，在通式(ZII)中，R₂₀₄以及R₂₀₅各自独立地表示芳基、烷基或环烷基，Z^‑表示磺酸根阴离子，在所述式(AI)中，Xa₁表示氢原子、甲基或由‑CH₂‑R₉表示的基团，其中R₉表示羟基或单价有机基团，T表示单键或二价连接基团，Rx₁至Rx₃各自独立地表示烷基或环烷基，且Rx₁至Rx₃中至少两个可彼此键结，藉此形成环烷基。