[发明专利]集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法，所述器件的JFET区包括：JFET源极，为第一导电类型；第一阱，为第二导电类型，设于第一导电类型区内且形成于JFET源极两侧；JFET源极的金属电极，形成于JFET源极上，与JFET源极接触；JFET金属栅极，设于JFET源极两侧的第一阱上；钳位区，位于JFET金属栅极的下方、第一阱内，为第二导电类型且离子浓度大于第一阱的离子浓度。本发明通过第二导电类型的钳位区提高了第一阱的离子浓度，增强了沟道区的耗尽能力，使得JFET夹断电压稳定性会有一定程度的提高。同时钳位区的存在会增强该处电场强度，改变雪崩电流的路径，提升了器件的稳定性。

主权项

一种集成有结型场效应晶体管的器件，所述器件包括JFET区和功率器件区，设于所述器件背面的第一导电类型的漏极，和设于所述漏极朝向所述器件正面的面上的第一导电类型区，所述JFET区和功率器件区共享所述漏极和第一导电类型区；其特征在于，所述JFET区还包括：JFET源极，为第一导电类型；第一阱，为第二导电类型，设于所述第一导电类型区内且形成于所述JFET源极两侧；JFET源极的金属电极，形成于所述JFET源极上并与所述JFET源极接触；JFET金属栅极，设于所述JFET源极两侧的所述第一阱上；钳位区，位于所述JFET金属栅极的下方、所述第一阱内，为第二导电类型且其离子浓度大于所述第一阱的离子浓度；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。