[发明专利]集成有耗尽型结型场效应晶体管的器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种集成有耗尽型结型场效应晶体管的功率器件及其制造方法，所述器件包括：阱区，为第二导电类型且形成于第一导电类型区内；JFET源极，为第一导电类型且形成于阱区内；JFET源极的金属电极，形成于JFET源极上且与JFET源极接触；横向沟道区，为第一导电类型，形成于两相邻JFET源极之间且两端与两相邻JFET源极接触；JFET金属栅极，形成于阱区上。本发明可以通过调节横向沟道区的注入剂量和能量，得到不同档位的夹断电压，因而与传统的纵向沟道形成的JFET相比，其夹断电压调控更加方便。同时由于横向沟道浓度更加均匀，其夹断电压也会更加稳定。

主权项

一种集成有耗尽型结型场效应晶体管的器件，所述器件包括JFET区、功率器件区、设于所述器件背面的第一导电类型的漏极，和设于所述漏极朝向所述器件正面的面上的第一导电类型区，所述JFET区和功率器件区共享所述漏极和第一导电类型区；其特征在于，所述JFET区还包括：阱区，为第二导电类型且形成于所述第一导电类型区内；JFET源极，为第一导电类型且形成于所述阱区内；JFET源极的金属电极，形成于所述JFET源极上且与所述JFET源极接触；横向沟道区，为第一导电类型，形成于两相邻JFET源极之间，且两端与所述两相邻JFET源极接触；JFET金属栅极，形成于所述阱区上；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。