[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610793911.3 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106229260A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 石龙强 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/49;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 王浩 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管的源极和漏极分别由第一金属层、第二金属层、第三金属层，第一金属层与铟镓锌氧化物层相接触，在第一金属层和铟镓锌氧化物层接触面处设置有金属扩散层。本发明同时提出了该薄膜晶体管的制造方法，依次沉积得到第一金属层、第二金属层、第三金属层，基于CVD方式沉积得到PV层，对PV层进行高温退火处理，使得第一金属层中的金属扩散到铟镓锌氧化物层形成金属扩散层，该金属扩散层使得第一金属层和铟镓锌氧化物层形成欧姆接触，使得界面的空乏区变窄，电子有更多的机会直穿隧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，由内向外依次设置栅极层(6)、栅绝缘层(5)、铟镓锌氧化物层(4)、源极和漏极，其特征在于，在源极和漏极分别由内向外依次设置有第一金属层(13)、第二金属层(12)和第三金属层(11)，其中，所述第一金属层(13)与所述铟镓锌氧化物层(4)接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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