[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201610793913.2 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106169485B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 周志超;周佑联;武岳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置,TFT阵列基板包括一玻璃基板、一缓冲层、一源极、一钝化层、一栅极、一栅极绝缘层、一有源层以及一像素电极。本发明的优点在于,提供一种TFT阵列基板的设计方案,将栅极设置在源极和像素电极之间,薄膜晶体管的沟道长度与有源层的厚度相同,可以通过合理设置有源层厚度,以减小沟道长度,从而增加薄膜晶体管的开态电流,进而提高TFT阵列基板的特性,从而提高液晶显示器的显示效果。 | ||
搜索关键词: | tft 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括一玻璃基板;一缓冲层,贴合于所述玻璃基板上表面;所述缓冲层内形成一第一源极孔;一源极,设置于所述第一源极孔内;一钝化层,贴合于所述缓冲层上表面;所述钝化层形成一第二源极孔,位于所述第一源极孔正上方;所述源极延伸至所述第二源极孔内;一栅极,贴合于所述钝化层上表面;一栅极绝缘层,贴合于所述钝化层及所述栅极上表面;所述栅极绝缘层设有一有源层安装孔,位于所述第二源极孔正上方;一有源层,设置于所述栅极绝缘层的有源层安装孔内;以及一像素电极,贴合于所述栅极绝缘层上表面及所述有源层上表面;其中,所述源极的形状与所述第一源极孔、所述第二源极孔的形状相应,所述源极为T字形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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