[发明专利]晶体振荡器有效
| 申请号： | 201610793918.5 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106374870B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王东旺;王韩;李立 | 申请（专利权）人： | 兆讯恒达微电子技术（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 100080 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体振荡器，包括：晶体；晶体驱动电路，其包括：第一N型MOS管，向第一N型MOS管提供偏置电压的偏置电路，向晶体的一端XI提供正反馈的反馈电路以及向第一N型MOS管提供直流电流的偏置电流源，其中，第一N型MOS管向晶体提供振荡电压；限幅电路，限幅电路的一端与第一N型MOS管的漏极相连，另一端与电路电源的正极相连，限幅电路用于限制晶体的振荡信号的振荡幅度，限幅电路由第三N型MOS管或者第三P型MOS管或者第二电阻构成。该晶体振荡器能够限制晶体的振荡信号的振荡幅度，从而保护与晶体相连的负载。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种晶体振荡器，其特征在于，包括：晶体；晶体驱动电路，其包括：第一N型MOS管，向所述第一N型MOS管提供偏置电压的偏置电路，向所述晶体的一端XI提供正反馈的反馈电路以及向所述第一N型MOS管提供直流电流的偏置电流源，其中，所述第一N型MOS管向所述晶体提供振荡电压；限幅电路，所述限幅电路的一端与所述第一N型MOS管的漏极相连，另一端与电路电源的正极相连，所述限幅电路用于限制所述晶体的振荡信号的振荡幅度；其中，所述限幅电路为第三N型MOS管，所述第三N型MOS管的栅极和漏极短接且与所述电路电源的正极相连，所述第三N型MOS管的源极与所述第一N型MOS管的漏极相连；或者，所述限幅电路为第三P型MOS管，所述第三P型MOS管的栅极和漏极短接且与所述第一N型MOS管的漏极连接，所述第三P型MOS管的源极与所述电路电源的正极相连；或者，所述限幅电路为第二电阻。
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