[发明专利]一种高迁移率金属氧化物TFT的制作方法有效
| 申请号： | 201610794552.3 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106206745B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李金明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02;H01L21/34 |
| 代理公司： | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高迁移率金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括如下步骤：一、在衬底层上沉积栅极层，然后依次黄光和刻蚀制得具有图形的栅极；二、在栅极上沉积栅极绝缘层，在栅极绝缘层上沉积N次，形成半导体金属氧化物层；三、高温退火，依次采用黄光和刻蚀制得具有图形的半导体金属氧化物层；四、在沉积源漏极，再依次黄光和刻蚀制得具有图形的源漏极；五、沉积PV层，再依次黄光和刻蚀制作过孔；六、高温退火；七、在沉积像素电极层，采用黄光和刻蚀得到像素电极。与现有技术相比，提高其载流子的浓度，保证产生较少的漏电流，从而提高薄膜晶体管的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 金属 氧化物 tft 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高迁移率金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：/n步骤一、在衬底层(1)上采用物理气相沉积工艺沉积形成栅极层(2)，在进行物理气相沉积时通入惰性气体，流量为30～200毫升/分钟然后依次采用黄光工艺和刻蚀工艺制得具有图形的栅极；/n步骤二、在具有图形的栅极上通过等离子增强化学气相沉积工艺沉积栅极绝缘层(3)，沉积厚度为1500～4000埃，采用物理气相沉积工艺在栅极绝缘层上沉积N次，形成半导体金属氧化物层(4)，其中，每次物理气相沉积时通入水，流量为0～20毫升/分钟，且每次物理气相沉积通入的水的流量由高逐步降低；/n步骤三、沉积完成后，再进行高温退火处理，对步骤二利用物理气相沉积形成的半导体金属氧化物层(4)进行活化，高温退火处理采用退火炉，退火温度为200～450℃，在退火的同时利用紫外线光管对半导体金属氧化物层(4)进行光照或在退火后对半导体金属氧化物层进行冷却时利用紫外光照射，照射时间为1～6小时，最后依次采用黄光工艺和刻蚀工艺制得具有图形的半导体金属氧化物层；/n步骤四、在具有图形的半导体金属氧化物层上采用物理气相沉积工艺沉积源漏极(5)，再依次采用黄光工艺和刻蚀工艺制得具有图形的源漏极并在半导体氧化物层上与源漏极之间形成刻蚀后的背沟道；/n步骤五、通过等离子增强化学气相沉积工艺在步骤四形成的具有图形的源漏电极(5)上沉积PV层(6)，再依次采用黄光工艺和刻蚀工艺制作过孔；/n步骤六、在步骤五沉积保护层(6)完成后，再通过高温退火工艺，使保护层(6)对源漏极刻蚀后形成的背沟道的沟道表面的缺陷进行修复，退火温度为200～450℃；/n步骤七、在步骤六完成后利用物理气相沉积工艺沉积像素电极层(7)，像素电极层(7)通过过孔与源漏极(5)相连，再依次采用黄光工艺和刻蚀工艺得到像素电极。/n
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