[发明专利]一种金属绝缘层半导体结构的制造方法

摘要

本发明提出了一种金属绝缘层半导体结构的制造方法，该结构包括在基板上从内至外依次堆叠的氢化非晶硅薄膜、高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜、金属层和光刻胶层。该方法包括湿法蚀刻金属层的步骤，灰化光刻胶层、氢化非晶硅薄膜和高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜的步骤，干法蚀刻氢化非晶硅薄膜和高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜的步骤，湿法蚀刻金属层的步骤。使用该方法加工金属绝缘层半导体结构，能够减少导电层与金属层之间形成的寄生电容。本发明适用于金属绝缘层半导体结构的光掩膜。

主权项

1.一种金属绝缘层半导体结构的制造方法，所述金属绝缘层半导体结构包括在基板上从内至外依次堆叠的氢化非晶硅薄膜、高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜、金属层和光刻胶层，其特征在于：所述制造方法包括以下步骤：第一次湿法蚀刻金属层，使其截面长度等于D1，第一次灰化光刻胶层、氢化非晶硅薄膜和高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜，使光刻胶层的截面长度等于D2，氢化非晶硅薄膜和高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜的截面长度均等于D3，第一次干法蚀刻氢化非晶硅薄膜和高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜，使氢化非晶硅薄膜和高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜的截面长度均等于D4，第二次湿法蚀刻金属层，使其截面长度等于D5，第二次灰化光刻胶层，使其截面长度等于D6，第二次干法蚀刻氢化非晶硅薄膜和高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜，使高浓度掺杂的N型氢化非晶硅薄膜的截面长度等于D7，氢化非晶硅薄膜的截面长度等于D8。