[发明专利]金属栅形成方法在审
| 申请号： | 201610795162.8 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106328510A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 刘英明;鲍宇;周海锋;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属栅形成方法，包括：在衬底上形成层间介质层图案，其中在层间介质层图案所形成的凹槽中填充有伪栅极多晶硅，在层间介质层图案与衬底之间形成有隔离层，在层间介质层图案与伪栅极多晶硅之间形成有隔离层和氮化硅层；涂覆第一光刻胶图案，并利用第一光刻胶图案去除NMOS和PMOS的伪栅极多晶硅，随后去除第一光刻胶图案；在晶圆表面依次沉积叠层和TiAl功函数层；涂覆第二光刻胶图案，并利用第二光刻胶图案对PMOS区域进行氮离子注入，从而使得PMOS区域的TiAl功函数层形成为掺杂的TiAl功函数层，随后去除第二光刻胶图案；在晶圆表面沉积阻挡层；在阻挡层上沉积金属电极层，其中，金属电极层完全填充凹槽；执行平坦化处理，以露出层间介质层图案。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅形成方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上形成层间介质层图案，其中在层间介质层图案所形成的凹槽中填充有伪栅极多晶硅，在层间介质层图案与衬底之间形成有隔离层，在层间介质层图案与伪栅极多晶硅之间形成有隔离层和氮化硅层；第二步骤：涂覆第一光刻胶图案，并利用第一光刻胶图案去除NMOS和PMOS的伪栅极多晶硅，随后去除第一光刻胶图案；第三步骤：在晶圆表面依次沉积叠层和TiAl功函数层；第四步骤：涂覆第二光刻胶图案，并利用第二光刻胶图案对PMOS区域进行氮离子注入，从而使得PMOS区域的TiAl功函数层形成为掺杂的TiAl功函数层，随后去除第二光刻胶图案；第五步骤：在晶圆表面沉积阻挡层；第六步骤：在阻挡层上沉积金属电极层，其中，金属电极层完全填充凹槽；第七步骤：执行平坦化处理，以露出层间介质层图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
