[发明专利]一种多晶硅发射极晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201610795496.5 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107785236A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 范建超;王训辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅发射极晶体管的制作方法，该制作方法包括在硅片上形成发射区；将形成有所述发射区的硅片放置于石英舟上；将放置有所述硅片的石英舟放入炉管内并以设定的推进速度推进所述石英舟，所述硅片利用所述炉管内的氧气在所述发射区生长界面氧化层，其中所述推进速度为750‑850mm/min。本发明实施例中将放置有硅片的石英舟放入炉管内后，按照750‑850mm/min的推进速度推进石英舟，以使硅片发射区不同位置进入炉管的时间差大大减小，进而使得硅片发射区不同位置生长出的界面氧化层的厚度基本一致，从而实现了多晶硅发射极晶体管发射区的电流增益趋于一致的效果，解决了现有技术中晶体管发射区电流增益离散性大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 发射极 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅发射极晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在硅片上形成发射区；将形成有所述发射区的硅片放置于石英舟上；将放置有所述硅片的石英舟放入炉管内并以设定的推进速度推进所述石英舟，所述硅片利用所述炉管内的氧气在所述发射区生长界面氧化层，其中所述推进速度为750‑850mm/min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润华晶微电子有限公司，未经无锡华润华晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610795496.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
