[发明专利]基于“off‑on‑off”模式的汞离子的荧光检测方法及荧光探针芯片

摘要

本发明公开了基于“off‑on‑off”模式的汞离子的荧光检测方法及荧光探针芯片。该方法中，随着待测样品中的Hg2+的浓度逐渐增加，Hg2+首先与杂交液中的TQ形成T–Hg2+–T结构，与TQ配对的带荧光标记的AC以游离状态存在，随后AC与芯片表面固定的探针TP发生杂交反应而被捕获，表现为荧光逐渐增强，即“off–on”模式”；然后，随着Hg2+的浓度继续增加，剩余Hg2+与芯片上的探针TP形成T–Hg2+–T结构，而原在芯片上捕获的AC被取代，从荧光探针表面离开，表现为荧光逐渐衰减，即“on–off”模式”；根据荧光探针芯片所检测得到的荧光强度确定待测溶液中Hg2+的浓度。本发明基于T‑T错配原理，借助于两次目标诱导的构象变化，结合光纤的倏逝波荧光检测平台，可实时检测Hg2+。

主权项

一种用于检测汞离子的荧光探针芯片的制备方法，包括如下步骤：a)将基片表面的羟基进行活化；b)将经步骤a)处理的基片表面进行硅烷化；c)将经步骤b)处理的基片表面进行偶联化；d)将名称为TP的单链DNA探针固定在经步骤c)处理的基片表面，所述固定的步骤如下：将所述经步骤c)处理的基片在名称为TP的单链DNA探针溶液中浸泡16～20小时，取出基片，依次进行清洗和干燥；所述TP为含有聚脱氧胸苷酸的单链DNA，所述单链DNA的端部修饰有氨基。