[发明专利]一种有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201610795991.6 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106298857B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 石龙强 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括开关薄膜场效应晶体管、驱动薄膜场效应晶体管以及分别与开关薄膜场效应晶体管和驱动薄膜场效应晶体管连接的存储电容。开关薄膜场效应晶体管具有用于降低该开关薄膜场效应晶体管的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第一有源层。驱动薄膜场效应晶体管具有用于增加该驱动薄膜场效应晶体管的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第二有源层。本发明能够同时实现开关薄膜场效应晶体管的快速开闭,以及驱动薄膜场效应晶体管对OLED灰阶的缓慢调试。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光显示装置,包括开关薄膜场效应晶体管、驱动薄膜场效应晶体管以及分别连接所述开关薄膜场效应晶体管和所述驱动薄膜场效应晶体管的存储电容;其中,所述开关薄膜场效应晶体管具有用于降低该开关薄膜场效应晶体管的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第一有源层;所述驱动薄膜场效应晶体管具有用于增加该驱动薄膜场效应晶体管的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第二有源层,所述第二有源层的含氧量高于所述第一有源层的含氧量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的