[发明专利]一种碳化硅单晶制造装置

摘要

本发明提供了一种碳化硅单晶制造装置，属于半导体机械设备技术领域。它解决了现有碳化硅单晶制造装置生长的单晶后期机械加工损失大的问题。本碳化硅单晶制造装置，包括炉体和设置在炉体内的坩埚，在坩埚的上部设置能够安装籽晶的籽晶保持架，籽晶保持架能够自转和上下升降，在炉体内还设有加热炉体使炉体形成环境温度梯度的炉体加热器，在籽晶保持架外设有能作用在碳化硅单晶上的加热冷却器。本碳化硅单晶制造装置能够在保证碳化硅单晶的高品质的前提下高速生长碳化硅单晶，实现碳化硅单晶的大口径生长，减少后期机械加工的损失。

主权项

1.一种碳化硅单晶制造装置，包括炉体(1)和设置在炉体(1)内的坩埚(2)，在坩埚(2)的上部设置能够安装籽晶(8)的籽晶保持架(3)，所述籽晶保持架(3)能够自转和上下升降，在炉体(1)内还设有加热炉体(1)使炉体(1)形成环境温度梯度的炉体加热器(4)，其特征在于，在籽晶保持架(3)外设有能作用在碳化硅单晶上的加热冷却器(5)；所述加热冷却器(5)为感应加热线圈，包括用于冷却介质通过的铜管(51)。