[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610796522.6 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106549046B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 小野沢勇一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够进行虚拟沟槽部的筛选的半导体装置。本发明提供的半导体装置具备：半导体基板；虚拟沟槽部，其形成于半导体基板的表面侧；发射极，其形成于半导体基板的表面的上方，并具有俯视下的外周凹陷而成凹陷部；虚拟焊盘，其与虚拟沟槽部电连接，在俯视下至少一部分形成于凹陷部的内侧；以及虚拟线，其将发射极与虚拟焊盘电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；虚拟沟槽部，其形成于所述半导体基板的表面侧；发射极，其形成于所述半导体基板的表面的上方，并具有俯视下的外周凹陷而成的凹陷部；虚拟焊盘，其与所述虚拟沟槽部电连接，在俯视下至少一部分形成于所述凹陷部的内侧；以及虚拟线，其将所述发射极与所述虚拟焊盘电连接。
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