[发明专利]半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置

摘要

本发明提供即使对栅极施加AC电压，也能够正确测定导通时的阈值电压的波动的半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置。作为被测定物的MOSFET的漏极与恒定电压源连接，源极和基体接地。AC电压源通常对MOSFET的栅极持续施加最大电压为MOSFET的阈值电压以上的应力电压。恒定电压源在MOSFET被施加有应力电压时，向MOSFET的源极‑漏极间施加源极‑漏极间电压，并且持续测定并监视流通于MOSFET的源极‑漏极间电流。MOSFET的阈值电压的波动量基于由恒定电压源测定的MOSFET的源极‑漏极间电流的波动量而得到。

主权项

1.一种半导体装置的评价方法，其特征在于，所述评价方法为具有由金属‑氧化膜‑半导体构成的绝缘栅结构的半导体装置的评价方法，包括：获取工序，在对所述半导体装置的栅极持续施加最大电压为所述半导体装置的阈值电压以上的AC电压的状态下，获取所述半导体装置的导通时的所述阈值电压的波动，所述获取工序包括：第一工序，在对所述半导体装置的栅极持续施加所述AC电压的状态下，在所述半导体装置的高电位和低电位间施加固定电压；第二工序，根据所述AC电压的施加时间测定从所述半导体装置的高电位侧流向低电位侧的电流的变化；第三工序，基于所述第二工序的测定值，获取所述半导体装置的导通时的所述阈值电压的波动。