[发明专利]半导体探测器有效
| 申请号： | 201610797083.0 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106249269B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 | 申请（专利权）人： | 同方威视技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/00 | 分类号： | G01T1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括：探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板，所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层，其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入，所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 探测器 | ||
【主权项】：
一种半导体探测器，包括：探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。
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