[发明专利]氮化物半导体薄膜及制备方法在审
| 申请号： | 201610797740.1 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106222623A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刁克明 | 申请（专利权）人： | 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司11609 | 代理人： | 周娇娇;谭辉 |
| 地址： | 100071 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物半导体薄膜及制备方法，该氮化物半导体薄膜通过双离子源分别轰击靶材和衬底来制备，其中：在主离子源中充入氩气，产生氩离子束轰击金属靶材，溅射出的金属原子沉积在衬底上；在辅离子源中充入氨气或者氮气，产生氮离子束轰击衬底表面，其中氮离子与沉积在衬底表面的金属原子结合，形成氮化物半导体薄膜。本发明以氩气作为工作气体，通过主离子源生成氩离子束轰击靶材，以氨气或者氮气作为反应气体，通过辅离子源生成的氮离子通过化学反应生成氮化物，并以浅层注入方式直接给衬底表面补充氮离子，能够有效地提高氮化物半导体薄膜中氮元素的含量，且制得的薄膜厚度均匀、精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，采用双离子源分别轰击金属靶材和衬底来制备，其中：在主离子源中充入氩气，产生氩离子束轰击金属靶材，溅射出的金属原子沉积在衬底上；在辅离子源中充入氨气或者氮气，产生氮离子束轰击衬底表面，其中氮离子与沉积在衬底表面的金属原子结合，形成氮化物半导体薄膜。
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