[发明专利]一种基于离子束刻蚀的打标方法及应用在审
申请号: | 201610797743.5 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106226994A | 公开(公告)日: | 2016-12-14 |
发明(设计)人: | 刁克明 | 申请(专利权)人: | 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;C23F4/00 |
代理公司: | 北京格允知识产权代理有限公司11609 | 代理人: | 周娇娇;谭辉 |
地址: | 100071 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基于离子束刻蚀的打标方法及应用,所述打标方法包括如下步骤:在基片表面涂覆一层光刻胶层;借助图形化的掩膜版,利用紫外光对光刻胶层进行曝光;去除图形化的掩膜版,得到图形化的光刻胶层;借助图形化的光刻胶层,使用离子源发射的离子束对基片的待标记处进行刻蚀;剥离图形化的光刻胶层,得到图形化的基片,实现对基片的标记。本发明通过离子束刻蚀的方法对产品进行打标,刻蚀出的标记线条侧壁几乎是垂直的,不会产生过度的线条展宽,使得最终获得的标记线条精度可达到几十纳米级,远高于激光打标机几十微米级的线条精度,从而能够明显提高打标的精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 离子束 刻蚀 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种基于离子束刻蚀的打标方法,其特征在于,所述打标方法包括如下步骤:S1:在基片表面涂覆一层光刻胶层;S2:借助图形化的掩膜版,利用紫外光对光刻胶层进行曝光;S3:去除图形化的掩膜版,得到图形化的光刻胶层;S4:借助图形化的光刻胶层,使用离子源发射的离子束对基片的待标记处进行刻蚀;S5:剥离图形化的光刻胶层,得到图形化的基片,实现对基片的标记。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司,未经北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610797743.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。