[发明专利]金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器有效
| 申请号： | 201610797852.7 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106341095B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 孙莉莉;张韵;程哲;张连;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种在金属上生长高质量单晶氮化物薄膜的方法：在金属上先采用低温磁控溅射技术制备AlN成核层，然后采用MOCVD技术制备高质量单晶氮化物薄膜。此外，在此基础上提出了一种单晶氮化物体声波谐振器结构，与常规多晶体声波谐振器相比，此种谐振器的压电材料由两部分组成，包括采用低温磁控溅射技术制备的AlN成核层和在AlN成核层上采用MOCVD技术制备的高质量单晶氮化物薄膜。AlN成核层可覆盖底部金属电极，因此可有效改善氮化物薄膜质量，克服制备高质量单晶氮化物薄膜时遇到的问题与挑战，从而有望获得高性能的单晶氮化物体声波谐振器。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 上单晶 氮化物 薄膜 制备 方法 声波 谐振器 | ||
【主权项】：
一种金属上单晶氮化物薄膜制备方法，包括：S1：在衬底上生长金属薄膜；S2：在所述的金属薄膜上制备AlN成核层；S3：在所述的AlN成核层上制备单晶氮化物薄膜。
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