[发明专利]超级结功率器件及其制备方法

摘要

本发明实施例提供了一种超级结功率器件及其制备方法，该方法包括提供第一导电类型的衬底；在衬底的上方形成第一导电类型的第一外延层；在第一外延层上方形成交替相间的第一导电类型柱区和第二导电类型柱区；在第二导电类型柱区顶部形成具有第二导电类型的体区，体区超出相对应的第二导电类型柱区的两侧并延伸至第一导电类型柱区；在体区和第一导电类型柱区上方形成栅极氧化层和多晶硅层，并图案化刻蚀形成栅极区；进行第一导电类型的离子注入，在体区内形成源区。本发明实施例提供了一种超级结功率器件及其制备方法，导通电阻较小，耐压性能较高，并且工艺流程较少，制造成本较低。

主权项

一种超级结功率器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的上方形成第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上方进行第一导电类型的离子注入以使所述第一外延层的第一导电类型离子的浓度由上而下逐渐降低，在所述第一外延层上方进行第二导电类型的离子注入以在所述第一外延层内形成交替相间的第一导电类型柱区和第二导电类型柱区；在所述第二导电类型柱区顶部形成具有第二导电类型的体区，所述体区超出相对应的所述第二导电类型柱区的两侧并延伸至所述第一导电类型柱区；在所述体区和所述第一导电类型柱区上方形成栅极氧化层和多晶硅层，并图案化刻蚀形成栅极区；进行第一导电类型的离子注入，在所述体区内形成源区；在所述源区和所述栅极区上分别形成源极金属和栅极金属，在所述衬底远离所述外延层的一侧形成漏极金属。