[发明专利]采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法在审
| 申请号： | 201610800022.5 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107026075A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 何志 | 申请（专利权）人： | 佛山芯光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/45 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，包括如下步骤步骤一在SiC所需形成欧姆接触的部位进行离子注入；步骤二在所述SiC晶圆表面淀积欧姆接触金属；步骤三采用激光对欧姆接触金属进行辐照以制备欧姆接触；采用离子注入增加SiC欧姆接触区域的掺杂浓度，通过激光退火在激活注入离子的同时在SiC上形成欧姆接触。通过该方法降低了激光退火工艺形成欧姆接触的工艺控制问题，降低了欧姆接触电阻率，从而提高了SiC器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 离子 注入 增强 激光 退火 制备 碳化硅 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在SiC所需形成欧姆接触的部位进行离子注入；步骤二：在所述SiC晶圆表面淀积欧姆接触金属；步骤三：采用激光对欧姆接触金属进行辐照以制备欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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