[发明专利]一种晶体管集成的方法在审
申请号: | 201610801249.1 | 申请日: | 2016-09-05 |
公开(公告)号: | CN106409824A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 吴立枢;程伟 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/06;H01L27/07 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是一种磷化铟异质结双极型晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管集成的方法,包括以下步骤(1)盐酸清洗磷化铟异质结双极型晶体管圆片和临时载片;(2)通过临时粘接材料键合;(3)将磷化铟衬底去除;(4)将硅金属氧化物半导体场效应晶体管圆片与磷化铟异质结双极型晶体管圆片通过BCB对准键合;(5)去除临时载片和临时粘接材料;(6)在集成的圆片上旋涂光刻胶光刻出刻蚀图形;(7)以光刻胶为掩膜刻蚀出BCB通孔;(8)通过电镀互联金属连接。优点利用外延层剥离转移的方法来实现磷化铟异质结双极型晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管在同一圆片上的集成,打破了半导体材料的固有限制,同时提高了集成度。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体管 集成 方法 | ||
【主权项】:
一种磷化铟异质结双极型晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管集成的方法,其特征是该方法包括以下步骤:(1)稀释的盐酸清洗磷化铟异质结双极型晶体管圆片和临时载片;(2)磷化铟异质结双极型晶体管圆片正面与临时载片通过临时粘接材料键合;(3)将磷化铟异质结双极型晶体管圆片的磷化铟衬底去除;(4)将硅金属氧化物半导体场效应晶体管圆片与以临时载片为支撑的磷化铟异质结双极型晶体管圆片通过BCB对准键合;(5)去除临时载片和临时粘接材料;(6)在硅金属氧化物半导体场效应晶体管与磷化铟异质结双极型晶体管集成的圆片上旋涂光刻胶光刻出刻蚀图形;(7)以光刻胶为掩膜刻蚀出BCB通孔;(8)将磷化铟异质结双极型晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管通过电镀互联金属连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的