[发明专利]一种晶体管集成的方法在审

专利信息
申请号: 201610801249.1 申请日: 2016-09-05
公开(公告)号: CN106409824A 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 吴立枢;程伟 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/06;H01L27/07
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明是一种磷化铟异质结双极型晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管集成的方法,包括以下步骤(1)盐酸清洗磷化铟异质结双极型晶体管圆片和临时载片;(2)通过临时粘接材料键合;(3)将磷化铟衬底去除;(4)将硅金属氧化物半导体场效应晶体管圆片与磷化铟异质结双极型晶体管圆片通过BCB对准键合;(5)去除临时载片和临时粘接材料;(6)在集成的圆片上旋涂光刻胶光刻出刻蚀图形;(7)以光刻胶为掩膜刻蚀出BCB通孔;(8)通过电镀互联金属连接。优点利用外延层剥离转移的方法来实现磷化铟异质结双极型晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管在同一圆片上的集成,打破了半导体材料的固有限制,同时提高了集成度。
搜索关键词: 一种 晶体管 集成 方法
【主权项】:
一种磷化铟异质结双极型晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管集成的方法,其特征是该方法包括以下步骤:(1)稀释的盐酸清洗磷化铟异质结双极型晶体管圆片和临时载片;(2)磷化铟异质结双极型晶体管圆片正面与临时载片通过临时粘接材料键合;(3)将磷化铟异质结双极型晶体管圆片的磷化铟衬底去除;(4)将硅金属氧化物半导体场效应晶体管圆片与以临时载片为支撑的磷化铟异质结双极型晶体管圆片通过BCB对准键合;(5)去除临时载片和临时粘接材料;(6)在硅金属氧化物半导体场效应晶体管与磷化铟异质结双极型晶体管集成的圆片上旋涂光刻胶光刻出刻蚀图形;(7)以光刻胶为掩膜刻蚀出BCB通孔;(8)将磷化铟异质结双极型晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管通过电镀互联金属连接。
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