[发明专利]一种基于金银核壳纳米棒的QLED制备方法及QLED在审
| 申请号： | 201610801666.6 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN106206971A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李龙基;曹蔚然;向超宇;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于金银核壳纳米棒的QLED制备方法及QLED。QLED制备方法包括步骤：A、在基板上沉积一层分散有金银核壳纳米棒的复合空穴注入层；B、将涂有复合空穴注入层的基板置于惰性气氛中，然后沉积空穴传输层；C、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；D、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；E、最后在电子注入层表面制作阴极，器件制备完成。本发明将金银核壳纳米棒掺入空穴注入层材料，金银核壳纳米棒可以很好的与量子点的发射光谱重叠，使金银核壳纳米棒表面产生最大的局域电磁场增强效应，极大的促进器件中载流子的输运和辐射复合，从而大幅度提升QLED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金银 纳米 qled 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于金银核壳纳米棒的QLED制备方法，其特征在于，包括步骤：A、在基板上沉积一层分散有金银核壳纳米棒的复合空穴注入层；B、将涂有复合空穴注入层的基板置于惰性气氛中，然后沉积空穴传输层；C、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；D、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；E、最后在电子注入层表面制作阴极，器件制备完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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