[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610801672.1 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN106252247B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 杨雪松;谢志峰 | 申请（专利权）人： | 江苏纳沛斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223002 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底表面具有凹槽，所述凹槽暴露出金属层表面；位于所述金属层表面以及部分基底表面的金属凸块，所述金属凸块的横截面形状与凹槽的横截面形状相同，且所述金属凸块的各个侧壁与凹槽侧壁之间的垂直距离相等。上述半导体结构中的金属凸块不易断裂或脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底表面具有凹槽，所述凹槽暴露出金属层表面；位于所述金属层表面以及部分基底表面的金属凸块，位于所述基底上方的金属凸块的横截面大于所述凹槽的横截面且与所述凹槽的横截面形状相同，并且位于所述基底上方的金属凸块的各位置处侧壁与凹槽侧壁之间的垂直距离相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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