[发明专利]量子点发光层制备方法、量子点发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开量子点发光层制备方法、量子点发光二极管及制备方法，方法包括步骤：制备量子点发光层，然后通过原位配体交换的方法将量子点发光层浸入短链配体溶液中1s~10min后取出，随后用与短链配体溶液相同的溶剂冲洗量子点发光层的表面以除去残留的短链配体。本发明通过对量子点发光层进行原位配体交换，克服了量子点表面配体影响分散性的问题。通过原位配体交换，调整量子点之间的空间距离，并通过选择最优链长的配体而实现高效率量子点发光二极管器件。本发明原位配体交换法，方法简单，实现成本较低，适合低成本大规模器件制备。

主权项

1.一种量子点发光层的制备方法，其特征在于，包括步骤：制备量子点发光层，对量子点发光层退火后，将量子点发光层浸入短链配体溶液中后取出，随后用溶剂冲洗量子点发光层的表面以除去残留的短链配体；所述溶剂为与短链配体溶液相同的溶剂。