[发明专利]四足量子点、基于四足量子点的发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开四足量子点、基于四足量子点的发光二极管及其制备方法，其包括步骤：镉前驱体混合液的制备：将氧化镉、油酸、n‑丙基膦酸和三辛基氧化膦混合，接着真空下加热并脱气，然后加热至280~330℃直至形成澄清、透明溶液为止；硫前驱体混合液的制备：惰性气氛下，将硫粉和三辛基膦混合搅拌；CdSe/CdS四足量子点的制备：将闪锌矿CdSe量子点注入上述制备好的镉前驱体混合液中；将温度升高至310~350℃，注入上述制备好的硫前驱体混合液，并停止加热；降温至95~105℃时注入正己烷，产物提纯。本发明使用四足量子点作为发光层的材料制备发光二极管，从而制得更高效的、发光纯度更高、寿命更长的发光二极管。

主权项

1.一种基于四足量子点的发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、在衬底上沉积阳极层；B、然后在阳极层上依次沉积空穴注入层和空穴传输层；C、接着在空穴传输层上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为CdSe/CdS四足量子点；所述CdSe/CdS四足量子点通过以下步骤制备得到：镉前驱体混合液的制备：将氧化镉、油酸、n‑丙基膦酸和三辛基氧化膦混合，接着将混合液真空下加热至110～180℃并脱气20～60min，然后将脱气后的混合液于惰性气氛下加热至280～330℃直至形成澄清、透明溶液为止；硫前驱体混合液的制备：惰性气氛下，将硫粉和三辛基膦于45～55℃下混合搅拌25～35min即可；CdSe/CdS四足量子点的制备：在温度为280～310℃时，将闪锌矿CdSe量子点注入上述制备好的镉前驱体混合液中；将温度升高至310～350℃，注入上述制备好的硫前驱体混合液，并停止加热；降温至95～105℃时注入正己烷，待反应液冷却至室温后，产物反复溶解、沉淀，离心提纯；D、最后在量子点发光层上沉积电子注入层，并蒸镀阴极层于电子注入层上，形成发光二极管；步骤C还包括：在量子点发光层沉积完后，将有机半导体溶液覆盖于量子点发光层上进行表面配体替换，然后干燥1‑2h，干燥后用与有机半导体溶液相同的溶剂洗去量子点发光层表面残留的配体，所述有机半导体含有供电子基团。