[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和显示器件

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和显示器件，方法包括：采用第一道光罩制程对形成在基板上的多晶硅膜层进行图案化处理；采用第二道光罩制程对依次形成在图案化多晶硅膜层和未被多晶硅膜层覆盖的基板上的第一金属层、第二绝缘层和第二金属层进行图案化处理；采用第三道光罩制程对形成在第二绝缘层、第二金属层上和未被覆盖的第一绝缘层上的第三绝缘层进行图案化处理；采用第四道光罩制程对形成在接触孔中和第三绝缘层上的第三金属层进行图案化处理；采用第五道光罩制程在第三金属层和未被覆盖的第三绝缘层上制备像素限定层和间隔层。其只需5道光罩制程即可完成阵列基板的制备，有效提高了阵列基板的制备效率，降低了制备成本。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用镀膜与晶化工艺在基板上制备多晶硅膜层，并采用第一道光罩制程对所述多晶硅膜层进行图案化处理，得到图案化多晶硅膜层；在所述图案化多晶硅膜层和未被所述多晶硅膜层覆盖的基板上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层，并采用第二道光罩制程对所述第一金属层、所述第二绝缘层和所述第二金属层进行图案化处理，形成间隔预设距离的TFT区和电容区；在图案化处理后的所述第二绝缘层和所述第二金属层上以及未被覆盖的所述第一绝缘层上形成第三绝缘层，并采用第三道光罩制程对所述第三绝缘层进行图案化处理，在所述第三绝缘层中形成接触孔；在所述接触孔中和所述第三绝缘层上形成第三金属层，并采用第四道光罩制程对所述第三金属层进行图案化处理，形成所述TFT区的源极和漏极以及与所述源极或漏极相连的作为有机发光二极管的第一电极的阳极；采用第五道光罩制程在图案化处理后的所述第三金属层和未被所述第三金属层覆盖的所述第三绝缘层上制备形成图案化的像素限定层和间隔层，得到薄膜晶体管阵列基板。