[发明专利]一种基于黑硅薄膜太阳能电池的正投光学微结构幕布有效
| 申请号： | 201610802457.3 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN106324969B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 钱俊;王子强;廖宇 | 申请（专利权）人： | 中显映创科技有限公司 |
| 主分类号： | G03B21/60 | 分类号： | G03B21/60;G03B21/602 |
| 代理公司： | 武汉华旭知识产权事务所42214 | 代理人： | 刘天钰 |
| 地址： | 401121 重庆市渝北*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于黑硅薄膜太阳能电池的正投光学微结构幕布，至少包括PET基底层，所述PET基底层上设置有呈微阵列分布的三角状黑硅薄膜太阳能电池；所述三角状黑硅薄膜太阳能电池的纵截面呈三角形结构；所述黑硅薄膜太阳能电池由上下层叠的各层次组成，其中位于最底部的层次为金属背电极，位于最顶部的层次为金属栅电极，各层次的纵截面均呈三角形状；所述黑硅吸光层的上表面上密布有呈金字塔微结构状的凸起，当外界的环境光从各个角度照射至黑硅吸光层时，光线在凸起间进行多次反射吸收直至被黑硅吸光层彻底吸收，从而黑硅薄膜太阳能电池将所吸收的太阳能转化为电能；所述金属背电极能够将从斜下方照射来的光线进行反射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 薄膜 太阳能电池 光学 微结构 幕布 | ||
【主权项】：
一种基于黑硅薄膜太阳能电池的正投光学微结构幕布，至少包括PET基底层，其特征在于：所述PET基底层上设置有呈微阵列分布的三角状黑硅薄膜太阳能电池，相邻的两个三角状黑硅薄膜太阳能电池之间的间距不大于投影图像像素的1/2；所述三角状黑硅薄膜太阳能电池的纵截面呈三角形结构，所述三角形结构中上斜面与PET基底层之间的夹角为30～90度，下斜面与PET基底层之间的夹角为30～65度；所述黑硅薄膜太阳能电池由上下层叠的金属栅电极、黑硅吸光层、P型硅层、N型硅层以及金属背电极组成，其中位于最底部的层次为金属背电极，位于最顶部的层次为金属栅电极，各层次的纵截面均呈三角形状，且各三角形有一个共同的顶点；所述黑硅吸光层的上表面上密布有呈金字塔微结构状的凸起，所述凸起与凸起之间根部相连接，当外界的环境光从各个角度照射至黑硅吸光层时，光线在两个金字塔微结构状的凸起间进行多次反射吸收直至被黑硅吸光层彻底吸收，从而黑硅薄膜太阳能电池将所吸收的太阳能转化为电能；所述金属背电极能够将从斜下方照射来的光线进行反射。
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