[发明专利]一种自掺杂共轭酚胺类空穴传输材料及制备与应用有效
| 申请号： | 201610802876.7 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN106397355B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李远;邱学青;薛雨源 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C07D285/14 | 分类号： | C07D285/14;C07C213/00;C07C215/82 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于有机光电材料技术领域，公开了一种自掺杂共轭酚胺类空穴传输材料及制备与应用。所述自掺杂共轭酚胺类空穴传输材料具有如下(1)或(2)所示的结构通式，式中X和R为共轭芳环或共轭杂环桥连基团。本发明所得的共轭酚胺衍生物溶解于二甲基亚砜，醇等大极性溶剂，具有良好成膜性，在多层器件中，可防止甲苯或者氯苯等低极性溶剂的界面侵蚀。该材料具有稳定的自由基信号，其机理为共轭酚胺诱导的自掺杂，在无额外掺杂剂情况下具有良好的空穴传输性能，可应用于有机光电子器件等领域。 |
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| 搜索关键词： | 共轭 酚胺 自掺杂 空穴传输材料 制备 应用 有机光电子器件 空穴传输性能 有机光电材料 低极性溶剂 二甲基亚砜 自由基信号 多层器件 极性溶剂 结构通式 桥连基团 掺杂剂 成膜性 甲苯 等大 芳环 氯苯 式中 杂环 溶解 诱导 侵蚀 | ||
【主权项】：
1.一种自掺杂共轭酚胺类空穴传输材料在有机光电子学器件中的应用，其特征在于：所述有机光电子学器件由衬底、阴极、空穴传输层、活性层、电子传输层和阳极依次层叠构成，所述的空穴传输层由自掺杂共轭酚胺类空穴传输材料制备而成；所述自掺杂共轭酚胺类空穴传输材料具有如下所示的结构式：![]()
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