[发明专利]止裂阻挡层及其制造方法在审
| 申请号： | 201610803886.2 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106129002A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | S.温特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/00;H01L23/544;H01L23/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王洪斌;蒋骏 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及止裂阻挡层及其制造方法。公开了一种晶片。所述晶片包括多个芯片和多个切缝。所述多个切缝中的切缝将一个芯片与另一芯片分离。所述切缝包括止裂阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构,包括:芯片;第一切缝,与所述芯片相邻并且具有第一主方向;第二切缝,与所述芯片相邻并且具有第二主方向;切缝结合部,由第一切缝和第二切缝形成;以及止裂阻挡层,至少部分位于所述切缝结合部内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
