[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201610804072.0 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN106449380A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 日吉透;内田光亮;增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/16;H01L21/335;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/04;H01L29/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅半导体器件。所述碳化硅半导体器件包括：碳化硅衬底、氧化物膜、栅电极、以及第一电极和第二电极。所述第一电极和所述第二电极被配置为使得能够通过施加到所述栅电极的栅极电压来控制在所述第一电极和所述第二电极之间流动的电流。首次测量的所述碳化硅半导体器件的第一阈值电压和已经向所述碳化硅半导体器件连续施加了1000小时应力之后测量的所述碳化硅半导体器件的第二阈值电压之间的差在±0.2V以内。所述应力的施加是在所述第一电极的电压是0V并且所述第二电极的电压是0V的情况下，向所述栅电极施加45kHz的、从‑5V到+15V变化的所述栅极电压。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅衬底；氧化物膜，所述氧化物膜被布置为与所述碳化硅衬底接触；栅电极，所述栅电极被布置为与所述氧化物膜接触，使得所述氧化物膜介于所述栅电极和所述碳化硅衬底之间；以及第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极被布置为与所述碳化硅衬底接触，所述第一电极和所述第二电极被配置为使得能够通过施加到所述栅电极的栅极电压来控制在所述第一电极和所述第二电极之间流动的电流，首次测量的所述碳化硅半导体器件的第一阈值电压和已经向所述碳化硅半导体器件连续施加了1000小时应力之后测量的所述碳化硅半导体器件的第二阈值电压之间的差在±0.2V以内，所述应力的施加是在所述第一电极的电压是0V并且所述第二电极的电压是0V的情况下，向所述栅电极施加45kHz的、从‑5V到+15V变化的所述栅极电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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