[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种衬底处理装置、以及半导体器件的制造方法，能够抑制流体供给装置内的流体的温度因处理室的状况而发生变动。衬底处理装置具有：处理室，其处理衬底；流体供给部，其向处理室供给规定温度的流体；流体供给管，其从流体供给部向处理室供给流体；第一流体排出管，其从处理室向流体供给部排出流体；第二流体排出管，其设置有热交换部，从流体供给管向流体供给部排出流体；流路切换部，其设置在流体供给管与第二流体排出管的连接部；以及控制部，其与流体供给部和流路切换部连接。

主权项

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理室，其处理衬底；流体供给部，其向所述处理室供给规定温度的流体；流体供给管，其从所述流体供给部向所述处理室供给所述流体；第一流体排出管，其从所述处理室向所述流体供给部排出所述流体；第二流体排出管，其设置有热交换部，从所述流体供给管向所述流体供给部排出所述流体；流路切换部，其设置在所述流体供给管与所述第二流体排出管的连接部；以及控制部，其与所述流体供给部和所述流路切换部连接，以在对所述衬底进行了处理之后停止从所述流体供给管向所述处理室的流体供给，并且从所述流体供给管向所述热交换部供给流体的方式，控制所述流体供给部和所述流路切换部。