[发明专利]可编程逻辑器件在审

专利信息
申请号: 201610804204.X 申请日: 2013-04-15
公开(公告)号: CN106298772A 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 黑川义元 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L27/115;H01L27/118;H03K19/00;H03K19/094;H03K19/177;H01L27/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 叶晓勇,姜甜
地址: 日本神奈川*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种能够以高速经受动态配置的可编程逻辑器件(PLD)。该PLD包括多个可编程逻辑元件(PLE)及选择PLE间的电连接的开关。开关具有多个组,每个组包括第一及第二晶体管。每个组中的第二晶体管彼此电并联连接。在每个组中,第二晶体管的源极与漏极之间的电传导取决于保持在第二晶体管的栅极与第一晶体管的漏极之间的配置数据,通过选择一个组可以选择可编程逻辑元件之间的电连接及不连接。
搜索关键词: 可编程 逻辑 器件
【主权项】:
一种半导体装置,包括:第一可编程逻辑元件和第二可编程逻辑元件;垂直布线,置于所述第一可编程逻辑元件与所述第二可编程逻辑元件之间;水平布线,垂直于所述垂直布线;以及开关的组,位于所述垂直布线与所述水平布线的交叉点,所述开关的组包括第一至第六开关,其中:所述第一开关和所述第二开关配置成确定所述垂直布线与所述水平布线之间的导通;所述第三开关和所述第四开关配置成确定所述垂直布线与所述水平布线之间的导通;所述第五开关和所述第六开关配置成分别确定所述垂直布线与所述水平布线的导通,以及其中所述第一至第六开关的各个包括在沟道形成区中包含氧化物半导体的第一晶体管。
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