[发明专利]一种绝缘体上锗硅衬底及其制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201610804720.2 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107799459B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 黄河;李海艇;朱继光;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06;H01L29/161 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘体上锗硅衬底及其制造方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供第一衬底，在所述第一衬底的正面依次形成缓冲层、牺牲层和锗硅层；提供第二衬底，在所述第二衬底上形成第一绝缘层；将所述第一衬底上的形成有所述锗硅层的面和所述第二衬底上形成有所述第一绝缘层的面相接合；形成从所述第一衬底的背面开始，依次贯穿所述第一衬底和所述缓冲层的若干开口，所述开口暴露所述牺牲层；通过所述开口，湿法刻蚀去除所述牺牲层，并同时使剩余的所述第一衬底和所述缓冲层从所述牺牲层上剥离。根据本发明的制造方法制备获得绝缘体上锗硅衬底，该绝缘体上锗硅衬底的锗硅层厚度均匀，质量更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 上锗硅 衬底 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上锗硅衬底的制造方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底的正面依次形成缓冲层、牺牲层和锗硅层；提供第二衬底，在所述第二衬底上形成第一绝缘层；将所述第一衬底上的形成有所述锗硅层的面和所述第二衬底上形成有所述第一绝缘层的面相接合；形成从所述第一衬底的背面开始，依次贯穿所述第一衬底和所述缓冲层的若干开口，所述开口暴露所述牺牲层；通过所述开口，湿法刻蚀去除所述牺牲层，并同时使剩余的所述第一衬底和所述缓冲层从所述牺牲层上剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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