[发明专利]一种含防渗透碳薄膜的高效稳定钙钛矿电池及其制备方法有效
申请号: | 201610805058.2 | 申请日: | 2016-09-06 |
公开(公告)号: | CN106252515B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 杨冠军;楚倩倩;李长久;李成新 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48;H01L51/44 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种含防渗透碳薄膜的高效稳定钙钛矿电池及其制备方法,包括依次叠层设置的透明导电基底、电子传输层、钙钛矿膜、防渗透碳薄膜和阴极导电层;或者包括依次叠层设置的透明导电基底、电子传输层、钙钛矿膜、空穴传输层、防渗透碳薄膜和阴极导电层。本发明在钙钛矿或者是无机空穴传输层表面制备一层防渗透碳薄膜,该层碳膜的存在首先可以保证了碳电极与钙钛矿完全的接触,较少电子和空穴复合;同时该层防渗透碳薄膜的存在还可以避免阴极导电浆体中溶剂和空气中的水分子等透过破坏钙钛矿薄膜或者空穴传输层,进而影响电池性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 渗透 薄膜 高效 稳定 钙钛矿 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种含防渗透碳薄膜的高效稳定钙钛矿电池,其特征在于,包括依次叠层设置的透明导电基底、电子传输层、钙钛矿膜、防渗透碳薄膜和阴极导电层;或者包括依次叠层设置的透明导电基底、电子传输层、钙钛矿膜、空穴传输层、防渗透碳薄膜和阴极导电层;所述防渗透碳薄膜为碳碳之间以SP2键结合为主的导电碳相的薄膜组成,导电碳相的薄膜为石墨薄膜、类石墨薄膜、炭黑薄膜、纳米碳薄膜、石墨烯薄膜中一种或者多种叠层设置构成;所述防渗透碳薄膜的为没有贯穿孔洞、能够防液相或气相分子渗透的碳膜;防渗透碳膜的厚度为5nm‑10μm;钙钛矿电池制备完成后防渗透碳薄膜在钙钛矿膜表面形成全覆盖。
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