[发明专利]半导体装置、存储器件以及制造方法有效
| 申请号： | 201610805513.9 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107799524B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 钱钢;缪一民;孙沿林;陈旭波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置、存储器件以及制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体装置包括：半导体衬底；在该半导体衬底中的沟槽隔离部；在该半导体衬底上方的伪栅极；在该半导体衬底中位于沟槽隔离部与伪栅极之间的第一掺杂区；以及将该伪栅极与该第一掺杂区电连接的第一连接件。本发明中，通过第一连接件将伪栅极与第一掺杂区电连接，从而使得包含伪栅极的晶体管被关断，进而可以防止发生漏电，提高存储器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 存储 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底中的沟槽隔离部；在所述半导体衬底上方的伪栅极；在所述半导体衬底中位于所述沟槽隔离部与所述伪栅极之间的第一掺杂区；以及将所述伪栅极与所述第一掺杂区电连接的第一连接件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
