[发明专利]衬底处理装置及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201610805599.5 | 申请日: | 2016-09-05 |
公开(公告)号: | CN106505013B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 芦原洋司;泽田元司 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/54 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种可抑制颗粒产生的衬底处理装置及半导体装置的制造方法。具有:处理衬底的处理容器;向处理容器供给处理气体的气体供给部;在处理容器内设置的衬底载置台;轴,其贯通在处理容器的底壁设置的孔、且在上部设置有衬底载置台;波纹管,其在处理容器的外侧以围绕轴的外周的方式构成、且将内侧空间与处理容器的空间连通;部件落下防止部,其在所述处理容器的底部,并且包括第一结构及第二结构且至少由第一结构及第二结构构成,第一结构沿孔的一部分构成,第二结构沿孔的其他部分构成且与第一结构相邻。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,具有:处理衬底的处理容器;向所述处理容器供给处理气体的气体供给部;设置在所述处理容器内的衬底载置台;轴,其贯通在所述处理容器的底部设置的孔、且在上部设置有所述衬底载置台;波纹管,其在所述处理容器的外侧以围绕所述轴的外周的方式构成,且内侧空间与所述处理容器的空间连通;非活性气体供给部,设于所述处理容器的外侧,向所述波纹管内供给非活性气体;部件落下防止部,其在所述处理容器的底部,并且包括第一结构及第二结构且至少由所述第一结构及第二结构构成,所述第一结构沿所述孔的一部分构成,所述第二结构沿所述孔的其他部分构成且与所述第一结构相邻,在所述第一结构和所述第二结构中,分别设置有:被所述底部支承的支承部;与所述支承部一起形成非活性气体流路的盖部;以及排气孔,其作为所述非活性气体流路的一部分而设置在所述支承部的径向外周端上,且将供给到所述波纹管的所述非活性气体以圆周状排气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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