[发明专利]磁穿隧接面及三维磁穿隧接面数组有效
| 申请号： | 201610805752.4 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106505146B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林育中 | 申请（专利权）人： | 林育中 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/04 |
| 代理公司： | 11369 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磁穿隧接面单元具有一第一电极，第一电极具有沿着实质上垂直于一基板之一主动表面之一方向延伸的一轴向。该磁穿隧接面单元更具有一固定层、一U形自由层、夹置于该固定层与该U形自由层之间的一穿隧层、及嵌于该U形自由层中的一第二电极。设于该第一电极与该第二电极之间的该固定层、该穿隧层、及该U形自由层构成一磁穿隧接面。该穿隧层亦可为U形。 | ||
| 搜索关键词： | 磁穿隧接面 三维 数组 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置，包含：/n一第一电极，具有沿着实质上垂直于一基板之一主动表面的一方向延伸的一轴向；/n一固定层、一U形自由层、及夹置于该固定层与该U形自由层之间的一穿隧层；及/n一第二电极，嵌于该U形自由层中；/n多个双层，沿着实质上平行该主动表面的不同水平位准形成；/n一通孔，位于该基板上，贯穿该双层，该固定层是顺形地设置于该通孔的一内表面上且该第一电极填满该通孔；及/n其中该固定层、该穿隧层、及该U形自由层是设于该第一电极与该第二电极之间并构成一磁穿隧接面。/n
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