[发明专利]半导体器件和电子器件有效
| 申请号： | 201610805906.X | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106548997B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 徐善京;柳承官;崔朱逸;赵泰济;权容焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种电子器件和一种半导体器件。所述电子器件包括其上具有电气导电的接触焊盘的基底和在接触焊盘上的电气导电的连接端子。连接端子包括导电柱结构和在柱结构上延伸并且与柱结构的侧壁的突出部分接触的焊料层。柱结构可包括下柱层、在下柱层上的扩散阻挡层和在扩散阻挡层上的上柱层。在发明的一些附加实施例中，柱结构的侧壁的突出部分包括扩散阻挡层的上表面的最外侧部分。这可通过使扩散阻挡层的宽度当在横向剖面上观察时大于上柱层的宽度来获得。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，所述电子器件包括：基底，所述基底上具有电气导电的接触焊盘；以及电气导电的连接端子，位于所述接触焊盘上，所述连接端子包括电气导电的柱结构和在所述柱结构上延伸并且与柱结构的侧壁的突出部分接触的焊料层，所述柱结构包括下柱层、位于下柱层上的扩散阻挡层和位于扩散阻挡层上的上柱层。
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