[发明专利]一种石墨烯‑黑磷异质结光电探测器及制备方法在审
申请号: | 201610806080.9 | 申请日: | 2016-09-07 |
公开(公告)号: | CN106328720A | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 鲍小志 | 申请(专利权)人: | 鲍小志 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/109;H01L31/0328;H01L31/18 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 谈杰 |
地址: | 430064 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种石墨烯‑黑磷异质结光电探测器及制备方法,属于光通讯技术领域。本发明包括自下而上依次层叠设置的硅衬底、二氧化硅层、若干平行布置的黑磷层以及覆盖在各黑磷层上的石墨烯层;各黑磷层中的黑磷与石墨烯层中的石墨烯构成异质结;石墨烯层将黑磷层完全覆盖;石墨烯层边缘上方设置有电极,电极延伸到黑磷层与石墨烯层重叠区域上方。为解决上述技术问题,本发明实现了在光通讯波段具有极高的光电转换效率,制备方法简单、成本低,而且重复性好的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 黑磷 异质结 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯‑黑磷异质结光电探测器,其特征在于包括自下而上依次层叠设置的硅衬底(1)、二氧化硅层(2)、若干平行布置的黑磷层(3)以及覆盖在各黑磷层(3)上的石墨烯层(4);各黑磷层(3)中的黑磷与石墨烯层(4)中的石墨烯构成异质结;石墨烯层(4)将黑磷层(3)完全覆盖;石墨烯层边缘上方设置有源/漏电极(5),源/漏电极(5)延伸到黑磷层与石墨烯层重叠区域上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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