[发明专利]SOI NMOSFET的60Coγ射线辐射响应推导及推导试验方法有效
| 申请号： | 201610806351.0 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106353666B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 田浩;贺凌翔 | 申请（专利权）人： | 成都天诚慧芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/265 | 分类号： | G01R31/265 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 郭彩红 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SOI NMOSFET的60Coγ射线辐射响应推导及推导试验方法，在极低电场下，对同样结构和工艺条件下的两件SOI NMOSFET，一件进行X射线，另一件进行60Coγ射线辐射；对比X射线与60Coγ射线两种辐射下由氧化层陷阱电荷引起的阈值电压漂移之比提取剂量增强因子DEF；将X射线试验数据的辐照剂量水平乘以DEF，将辐照造成的阈值电压漂移量乘以因子0.7，从而得到60Coγ射线的辐射响应。该发明方案应用局限性小，ΔVth推导更准确；能够省去60Co源大量的辐射测试，从而大大降低试验成本并发挥X射线能方便快捷地提供反馈的优势，提高研发的效率。 | ||
| 搜索关键词： | soinmosfet 60 co 射线 辐射 响应 推导 试验 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI NMOSFET的60Coγ射线辐射响应推导方法，具体方法为：在极低电场下，对同样结构和工艺条件下的两件SOINMOSFET，一件进行X射线辐射，另一件进行60Coγ射线辐射；对比X射线与60Coγ射线两种辐射下由氧化层陷阱电荷引起的阈值电压漂移之比提取剂量增强因子DEF；将X射线试验数据的辐照剂量水平乘以DEF，将辐照造成的阈值电压漂移量乘以因子0.7，从而得到60Coγ射线的辐射响应；所述极低电场为电场小于0.05MV/cm的电场强度。
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