[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置

摘要

对于本发明的磁记录介质而言，保护层(3)的润滑剂层(4)侧的最表面含有碳和50原子％～90原子％的范围内的氮，润滑剂层(4)与最表面接触形成，含有下式(1)～(3)的化合物A～C，膜厚为0.5～2nm。R1‑C₆H₄OCH₂CH(OH)CH₂OCH₂‑R2‑CH₂OCH₂CH(OH)CH₂OH‥(1)CH₂(OH)CH(OH)CH₂OCH₂CF₂CF₂(OCF₂CF₂CF₂)_mOCF₂CF₂CH₂OCH₂CH(OH)CH₂OH‥(2)HOCH₂CF₂CF₂O(CF₂CF₂CF₂O)sCF₂CF₂CH₂OCH₂CH(OH)CH₂OH‥(3)。

主权项

1.一种磁记录介质，其为在非磁性基板上至少依次具有磁性层、保护层和润滑剂层的磁记录介质，其特征在于，所述保护层的所述润滑剂层侧的最表面含有碳和50原子％～90原子％的范围内的氮，所述润滑剂层与所述最表面接触形成，平均膜厚在0.5nm～2nm的范围内，含有下述通式(1)所示的化合物A、下述通式(2)所示的化合物B和下述通式(3)所示的化合物C，相对于所述润滑剂层中所含的所述化合物A、B和C的质量和，所述化合物A的质量与之的比(A/(A+B+C))在0.05～0.6的范围内，所述化合物B的质量与之的比(B/(A+B+C))在0.05～0.5的范围内，所述化合物C的质量与之的比(C/(A+B+C))在0.05～0.9的范围内，并且所述化合物C的平均分子量在1000～2000的范围内，R1‑C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2‑R2‑CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(1)通式(1)中，R1为碳数为1～4的烷氧基，R2为‑CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2‑，x、y的括号内的部分，其连接顺序可以是该记载的顺序、相反的顺序或随机的顺序，x、y分别为0～15的整数，CH2(OH)CH(OH)CH2OCH2CF2CF2(OCF2CF2CF2)mOCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(2)通式(2)中，m为4～50的范围的整数，HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)sCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(3)通式(3)中，s为整数。