[发明专利]一种基于质谱分析的多糖拓扑结构解析方法

摘要

本发明涉及一种基于质谱分析的多糖拓扑结构解析方法，包括以下步骤：(1)将待分析多糖样本经电喷雾电离、质谱分析后得到含前体离子实验同位素轮廓信息的一级质谱，一级质谱中的各前体离子经串级质谱解离得到对应的碎片离子的二级质谱；(2)将前体离子的实验同位素轮廓与前体离子理论数据库进行比对，得到前体离子对应的多个候选多糖；(3)将每个候选多糖的每个理论碎片离子的理论同位素轮廓与该候选多糖对应的二级质谱中观察到的碎片离子的实验同位素轮廓进行比对，匹配度最高的候选多糖即为最终的多糖ID。与现有技术相比，本发明的多糖拓扑解析方法简单明了、高效准确，适用于多糖基于高分辨串级质谱分析的拓扑结构定性鉴定和定量分析。

主权项

1.一种基于质谱分析的多糖拓扑结构解析方法，其特征在于，该方法包括以下几个步骤：/n(1)将待解析样本经电喷雾电离、质谱分析后得到含前体离子实验同位素轮廓信息的一级质谱；/n(2)将一级质谱中的各前体离子实验同位素轮廓信息与前体离子理论数据库进行比对，得到多个候选多糖拓扑结构；根据这些候选多糖拓扑结构中单糖的种类，组成及连接方式，计算得到每个候选多糖的每个候选碎片离子的理论同位素轮廓；其中，所述前体离子的实验同位素轮廓与相应的理论同位素轮廓指纹比对的参数包括同位素峰强度阈值、同位素峰质荷比偏差和同位素峰强度偏差；/n预先在假阳性率控制的前提下用模型数据来优化，将前体离子的实验同位素轮廓与前体离子理论数据库中的各个多糖逐个进行指纹比对，凡是理论同位素轮廓满足比对阈值，其IPACO＝10％以上的每个同位素峰都有被观察到，且这些同位素峰的IPMD≤15ppm，IPAD≤50％的数据库中多糖即为该实验同位素轮廓或前体离子对应的候选多糖；/n(3)将前体离子送入离子阱中进行气相解离得到碎片离子，将碎片离子送入质谱分析器和检测器，得到包含碎片离子实验同位素轮廓信息的二级质谱；/n(4)二级质谱中各碎片离子的实验同位素轮廓依次与每个候选多糖的所有理论碎片离子进行匹配；碎片离子匹配度最高的候选多糖拓扑结构即为最终的多糖拓扑结构，其中，所述碎片离子实验同位素轮廓与相应的理论同位素轮廓的指纹比对的参数包括同位素峰强度阈值、同位素峰质荷比偏差和同位素峰强度偏差；/n根据各个离子中是否有同位素峰缺失和同位素峰相对强度的偏差对理想及非理想实验数据进行很好的区分，保证蛋白鉴定的可信度；/n根据已知重叠离子的同位素峰相对强度关系对重叠实验数据进行有效的解析。/n